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: TH2638 高速精密电容测量仪

TH2638系列高速精密电容测量仪是具有高达1MHz测试频率的新型电容测量仪，体积小，紧凑便携，便于上架使用。4.3寸的LCD屏幕可选中英文操作界面，操作方便快捷。TH2638系列测量电容基本精度为0...... 【详情】

: TH2638A 高速精密电容测量仪

TH2638系列高速精密电容测量仪是具有高达1MHz测试频率的新型电容测量仪，体积小，紧凑便携，便于上架使用。4.3寸的LCD屏幕可选中英文操作界面，操作方便快捷。TH2638系列测量电容基本精度为0...... 【详情】

: TH2638C 高速精密电容测量仪

TH2638系列高速精密电容测量仪是具有高达1MHz测试频率的新型电容测量仪，体积小，紧凑便携，便于上架使用。4.3寸的LCD屏幕可选中英文操作界面，操作方便快捷。TH2638系列测量电容基本精度为0...... 【详情】

: TH2640A 耐冲击精密电容测试仪

性能特点■ 高稳定性和一致性：20个量程配置■ 高功率：信号电平：20VAC/100mAAC■ 高速度：测试速度高达10ms（100次/秒） ...... 【详情】

: TH2640B 耐冲击精密电容测试仪

性能特点■ 高稳定性和一致性：20个量程配置■ 高功率：信号电平：20VAC/100mAAC■ 高速度：测试速度高达10ms（100次/秒） ...... 【详情】

: TH511 半导体C-V特性分析仪

TH510系列半导体C-V特性分析仪是常州同惠电子根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄...... 【详情】

: TH512 半导体C-V特性分析仪

TH510系列半导体C-V特性分析仪是常州同惠电子根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄...... 【详情】

: TH513 半导体C-V特性分析仪

TH510系列半导体C-V特性分析仪是常州同惠电子根据当前半导体功率器件发展趋势，针对半导体材料及功率器件设计的分析仪器。仪器采用了一体化集成设计，二极管、三极管、MOS管及IGBT等半导体功率器件寄...... 【详情】

: TH530-25100A 半导体器件雪崩能量测试仪

TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等...... 【详情】

: TH530-25100B 半导体器件雪崩能量测试仪

TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等...... 【详情】

: TH530-25200A 半导体器件雪崩能量测试仪

TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等...... 【详情】

: TH530-25200B 半导体器件雪崩能量测试仪

TH530系列雪崩测试仪是同惠电子针对于半导体器件UIS （EAS）、EAR参数测量问题的解决方案。主要用于测量MOSFET 、IGBT 、Diode和双极性器件（带钳位）的雪崩击穿特性（电压、能量等...... 【详情】

: TH530-01 可编程电感负载箱

宽范围可编程电感：0.01mH～159.9mH连续可调；其中 0.01～10.0mH 步长0.01mH，10.0～159.9mH 步长0.1mH，覆盖雪崩测试主流电感需求。高精度与高稳定性：采用精...... 【详情】

: TH1991A 高精度源表

TH1991/TH1992系列精密源/测量电源，可同时输出并测量电压和电流，在仪器中集成了电流源、电压源、电压表、电流表功能，各功能可任意切换。TH1991/TH1992系列精密源/测量单元可输出高达...... 【详情】

: TH1991 高精度源表

TH1991/TH1992系列精密源/测量电源，可同时输出并测量电压和电流，在仪器中集成了电流源、电压源、电压表、电流表功能，各功能可任意切换。TH1991/TH1992系列精密源/测量单元可输出高达...... 【详情】

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